飞行时间二次离子质谱仪

Hiden TOF-qSIMS飞行时间二次离子质谱仪设计用于多种材料的表面分析和深度剖析应用，包括聚合物，药物，超导体，半导体，合金，光学和功能涂层以及电介质，检测限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四极杆质谱和飞行时间质谱。

四极杆qSIMS主要用于掺杂物深度剖析和薄层分析，低入射能力，高入射电流，溅射和分析连续进行，是典型的Dynamic SIMS 动态SIMS。

飞行时间二次离子质谱TOF-SIMS使用飞行时间质谱，质量数范围宽，质量分辨率高，且测量速度快（瞬间得到全谱）。离子枪仅需要一次脉冲溅射，即可得到全谱，对表面几乎无破坏作用。因脉冲模式分析，且电流小，所以产生的二次离子比率相对少，灵敏度相比动态SIMS弱，但成像和表面分析能力强，是典型的Stactic SIMS 静态SIMS。

TOF-qSIMS飞行时间二次离子质谱仪综合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的优点，可以分析所有的导体、半导体、绝缘材料；对硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列扩展功能。对于材料/产品表面成分及分布，表面添加组分、杂质组分、表面多层结构/镀膜成分、表面异物残留（污染物、颗粒物、腐蚀物等）、表面痕量掺杂、表面改性、表面缺陷（划痕、凸起）等有很好的表征能力。

一台SIMS同时提供四极杆质谱和飞行时间质谱：

静态SIMS  Static SIMS

动态SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多种离子枪

样品 3D成像分析

检测限低于ppm

SNMS 离子源，二次中性粒子谱

二次离子质谱成像软件，静态二次离子质谱图库，二次离子质谱后处理软件

技术参数：
质量数范围：300，510或1000amu
分辨率：5%的谷，两个相连的等高峰。
检测器：离子计数检测器，正、负离子检测
检测限：1:10E7
质量过滤器：三级过滤四极杆（9mm杆）
主离子枪： A，氧离子或其它气体，能量到5KeV
          B，Ga离子枪，能量25KeV（选配）
空间分辨率：A：100～150um
           B: 50nm
取样深度：2个单分子层（静态）
         不受限制（动态）


主要特点：
1、高灵敏度脉冲离子计数检测器，7个数量级的动态范围
2、SIMS 成像，分辨率在微米以下
3、光栅控制，增强深度分析能力
4、所有能量范围内，离子行程的最小扰动，及恒定离子传输
5、差式泵3级过滤四极杆，质量数范围至1000amu
6、灵敏度高 / 稳定的脉冲离子计数检测器
7、Penning规和互锁装置可提供过压保护
8、通过RS232、RS485或Ethernet LAN，软件 MASsoft控制